三星128GB單條 DDR4內(nèi)存開始量產(chǎn) 竟然是3D的
發(fā)布時間：2015-11-26 17:18:21 作者：佚名 
我要評論
我要評論128g單條DDR4內(nèi)存出現(xiàn)啦，三星宣布量產(chǎn)全球第一款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條，最不可思議的是，這款內(nèi)存條竟然是3d技術(shù)打造的，更多詳細(xì)內(nèi)容請看下文
2014年8月底，三星電子宣布量產(chǎn)全球第一款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條，單條容量高達(dá)64GB。一年多后，三星將這一容量翻了一番，開始量產(chǎn)128GB TSV DDR4內(nèi)存條。
新內(nèi)存依然是面向企業(yè)級服務(wù)器市場的RDIMM類型條子，使用了多達(dá)144顆DDR4內(nèi)芯片，每一顆容量8Gb(1GB)，然后每四顆芯片利用TSV技術(shù)緊密封裝在一起，總計(jì)36個組，分布在內(nèi)存條兩側(cè)。
制造工藝是三星最先進(jìn)的20nm，起步頻率2400MHz，接下來將逐步提升到2667MHz、3200MHz。
另外，三星還會把TSV硅穿孔技術(shù)應(yīng)用到HBM高帶寬內(nèi)存中。
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