主板上另外兩項(xiàng)是針對(duì)VCCSA和VCCIO的供電，這部分的用料有所縮減，輸入電容為共用1顆尼吉康FP12K固態(tài)電容，16V 101微法；MOS為每相1顆7341EH；輸出電容為每相1顆尼吉康FP12K固態(tài)電容，2.5V 821微法。

內(nèi)存供電做的是比較奢侈的，直接采用2相供電。PWM芯片為UP1674P；輸入電容為2顆尼吉康FP12K固態(tài)電容，6.3V 561微法；MOS為每相1顆TI的87350D drMOS，與CPU供電相同；電感為每相一顆感值R30的封閉式電感；輸出電容為4顆尼吉康FP12K固態(tài)電容，6.3V 561微法。

主板上還有一顆nuvoTon NCT6791D 硬件監(jiān)控芯片和一顆nuvoTon NCT5567D Super IO芯片。集成度還是低了一些。

主板上還有1顆ASM1184芯片，這是用于轉(zhuǎn)接PCI-E通道，將1條PCI-E 3.0橋接為4條PCI-E 2.0。總體來(lái)說(shuō)，華擎與技嘉華碩的設(shè)計(jì)思路頗有些不同，華碩技嘉更傾向于利用大量的SWITCH切換和降速來(lái)解決芯片組通道不足的問(wèn)題。而華擎更傾向于采用更多的HUB芯片來(lái)轉(zhuǎn)接，盡可能減少PCI-E帶寬的損失。不過(guò)代價(jià)也很顯而易見，更多的芯片降低了主板的集成度。

測(cè)試平臺(tái)介紹：

首先來(lái)介紹測(cè)試平臺(tái)。

內(nèi)存是海盜船的DDR4 8G*4。實(shí)際運(yùn)行頻率是2666C15。

中間會(huì)有搭配獨(dú)顯的測(cè)試，顯卡采用的是迪蘭恒進(jìn)的VEGA 64水冷版。

SSD是三塊Intel，系統(tǒng)盤用的是比較主流的535，以保證測(cè)試更接近一般用戶。240G用作系統(tǒng)盤，480G*2主要是拿來(lái)放測(cè)試游戲。

NVMe SSD測(cè)試用到的是Intel 750 400G。

散熱器是酷冷的冰神G360RGB。

電源是安鈦克的HCG-X1000。

測(cè)試平臺(tái)是Streacom的BC1。

性能測(cè)試項(xiàng)目介紹：

對(duì)于有興趣進(jìn)一步了解對(duì)比性能的童鞋，這邊會(huì)提供詳細(xì)的測(cè)試數(shù)據(jù)。如果不想看的話可以直接跳到最后的總結(jié)部分。

測(cè)試大致會(huì)分為以下一些部分：

－ CPU性能測(cè)試：包含系統(tǒng)帶寬、CPU理論性能、CPU基準(zhǔn)測(cè)試軟件、CPU渲染測(cè)試軟件、3DMARK物理得分

－ 集成顯卡測(cè)試：包含集顯理論性能測(cè)試、集顯基準(zhǔn)測(cè)試軟件、集顯專業(yè)軟件基準(zhǔn)

－ 搭配獨(dú)顯測(cè)試：包含獨(dú)顯基準(zhǔn)測(cè)試軟件、獨(dú)顯游戲測(cè)試、獨(dú)顯專業(yè)軟件基準(zhǔn)

－ 功耗測(cè)試：在集顯、獨(dú)顯平臺(tái)下進(jìn)行功耗測(cè)量

－ 這次測(cè)試起加入了WBE3.0和安卓游戲模擬器的測(cè)試，測(cè)試項(xiàng)目會(huì)越來(lái)越豐富。

CPU性能測(cè)試與分析：

系統(tǒng)帶寬測(cè)試，系統(tǒng)帶寬上i9-9700K有了進(jìn)一步的提升，略低于i9-9900K。對(duì)比i7-8700K，提升主要集中在L1和L2上，尤其是L1的帶寬提升了40%之多。L1\L2的延遲上也有10%的提升。

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