如果要描述近期的存儲市場，用“漲價”二字來形容顯然再合適不過。這意味著如果用戶的預算有限，那么在裝機或升級電腦存儲系統(tǒng)時，應盡可能地采用高質價比固態(tài)硬盤。簡單來說，在預算一定的情況下，應該選擇性能更強、品質更好的產品才能讓錢花得更值。而目前側重性能、價格相近的高質價比固態(tài)硬盤主要有致態(tài)TiPlus7100s、三星990 EVO Plus這兩款產品。那么這兩款產品誰更值得購買呢？接下來就讓我們通過實戰(zhàn)對比測試來一探究竟。

兩款高質價比固態(tài)硬盤解析

測試之前，首先讓我們來了解一下兩款產品。本次測試我們將使用它們的2TB產品進行對比。其中致態(tài)TiPlus7100s固態(tài)硬盤是致態(tài)經典產品TiPlus7100的升級版，它采用了全新的主控與閃存芯片。其主控芯片換為更加先進、基于DRAMLESS架構（無獨立緩存）的PCIe 4.0 x4 4通道主控，支持HMB主機內存緩沖技術，可占用少量系統(tǒng)內存來臨時保存已從閃存讀取的數據、需要寫入閃存的數據，以及地址映射表，從而有效提升SSD的I/O性能，無須再使用獨立的內存顆粒作緩存，可有效降低SSD的功耗與發(fā)熱量。搭配SLC Cache智能緩存技術的運用，SSD能夠提供穩(wěn)定、高速的傳輸體驗效果。

致態(tài)TiPlus7100s固態(tài)硬盤最大的升級之處，在于該產品采用基于長江存儲晶棧Xtacking4.0架構的TLC閃存顆粒。相比Xtacking3.0架構TLC閃存顆粒，其IO接口速率從之前的2400MT/s提升到了3600MT/s，因此可以為固態(tài)硬盤帶來更高的吞吐率，更好的性能表現，并借助更先進的生產工藝，有效降低閃存的發(fā)熱量與工作溫度。

▲致態(tài)TiPlus7100s固態(tài)硬盤2TB內部結構，搭配PCIe 4.0 DRAMLESS主控芯片、Xtacking4.0架構TLC閃存顆粒。

根據致態(tài)官方數據，致態(tài)TiPlus7100s 1TB產品的標稱順序讀寫速度分別為7400MB/s、6900MB/s，標稱隨機4K讀寫性能分別可達1500K IOPS，其標稱寫入壽命為600TBW；2TB產品的標稱順序讀寫速度分別為7400MB/s、6900MB/s，標稱隨機4K讀寫性能分別可達1400K IOPS、1500K IOPS，標稱寫入壽命為1200TBW；4TB產品的標稱順序讀寫速度各為7400MB/s、6900MB/s，標稱隨機4K讀寫性能分別為1200K IOPS、1500K IOPS，4TB產品的標稱寫入壽命為2400TBW。同時得益于高品質長江存儲原廠顆粒的采用，其全系產品均擁有長達5年的質保時間，讓用戶能放心使用。

▲IO接口速率達3600MT/s的Xtacking4.0架構TLC閃存顆粒

▲三款不同容量的致態(tài)TiPlus7100s固態(tài)硬盤詳細技術規(guī)格

三星990 EVO Plus也采用DRAMLESS架構設計，其主控為三星的Piccolo 4通道控制器，基于5nm FinFET工藝打造，并設計有鍍鎳涂層，可以降低主控工作溫度。這款固態(tài)硬盤同樣通過HMB技術共享內存容量來存儲緩存數據與FTL映射表，其閃存則是由三星第8代V-NAND技術打造的V NAND TLC閃存顆粒，單顆容量達到2TB。因此，本次測試的三星990 EVO Plus 2TB結構很簡單，只由1顆小小的主控芯片與1顆閃存芯片組成。

▲三星990 EVO Plus 2TB產品由1顆主控芯片與1顆閃存芯片組成

性能方面，根據三星官方數據，三星990 EVO Plus 1TB的標稱順序讀寫速度分別為7150MB/s、6300MB/s，標稱隨機4K讀寫性能分別為850K IOPS、1350K IOPS，其標稱寫入壽命為600TBW；2TB產品的標稱順序讀寫速度分別為7250MB/s、6300MB/s，標稱隨機4K讀寫性能分別可達1000K IOPS、1350K IOPS，標稱寫入壽命為1200TBW；4TB產品的標稱順序讀寫速度各為7250MB/s、6300MB/s，標稱隨機4K讀寫性能分別為1050K IOPS、1400K IOPS，4TB產品的標稱寫入壽命為2400TBW，質保時間均為5年?？梢钥吹剑藰朔Q寫入壽命、質保時間相同外，全系三星990 EVO Plus的順序讀寫速度、隨機讀寫性能都比致態(tài)TiPlus7100s相同容量的產品低。那么在實際測試中，這樣的差距是否存在呢？

▲全系三星990 EVO Plus的標稱性能規(guī)格都低于相同容量的致態(tài)TiPlus7100s

測試平臺

• 主板：華碩B850M AYW GAMING OC WIFI 7 W
• 處理器：銳龍9 9950X
• 內存：芝奇Trident Z5 Neo焰鋒戟RGB DDR5 6000 CL28 32GB套裝
• 硬盤：致態(tài)TiPlus7100s 2TB
• 三星990 EVO Plus 2TB
• 顯卡：GeForce RTX 5090 D v2
• 電源：鑫谷GM1250W
• 操作系統(tǒng)：Windows 11 25H2

致態(tài)TiPlus7100s在基準測試中優(yōu)勢明顯

首先從基準測試來看，致態(tài)TiPlus7100s 2TB的優(yōu)勢非常明顯。其順序讀寫速度均小幅超越標稱規(guī)格，分別為7471.64MB/s、6976.87MB/s。而三星990 EVO Plus的順序讀寫速度分別只有7251.23MB/s、6201.86MB/s，不僅明顯落后致態(tài)TiPlus7100s 2TB，而且其順序寫入速度也沒有達到官方標稱的6300MB/s。隨機性能方面，致態(tài)TiPlus7100s 2TB的隨機4K讀取性能達到1404665 IOPS，小幅超越標稱的1400K IOPS，其隨機4K寫入性能則達到1594954 IOPS，相比標稱的1500K IOPS明顯超出。而三星990 EVO Plus 2TB的隨機4K讀取性能達到標稱規(guī)格，測試成績?yōu)?012144 IOPS，但隨機4K寫入性能則依然離標稱的1350K IOPS有一段距離，其測試成績只有1288660 IOPS?？傮w而言，致態(tài)TiPlus7100s 2TB在高隊列深度、多線程環(huán)境下的隨機4K讀寫性能大幅領先三星990 EVO Plus 2TB。

再來看與游戲、程序啟動等消費級應用關系密切的隨機4K Q1T1測試，雖然雙方都沒有給出這一性能的標稱指標，但測試結果顯示致態(tài)TiPlus7100s 2TB的優(yōu)勢仍很明顯。致態(tài)TiPlus7100s 2TB的隨機4K Q1T1測試成績達到19099.12 IOPS，三星990 EVO Plus 2TB的測試結果只有16120.61 IOPS，前者領先18.5%，這意味著致態(tài)TiPlus7100s 2TB很可能有更快的游戲啟動速度、更短的程序數據讀寫耗時。

最后在其他磁盤性能測試中，致態(tài)TiPlus7100s 2TB也全面領先三星990 EVO Plus。比如其AS SSD Benchmark測試總分為11570，三星990 EVO Plus 2TB只有10198分，前者領先多達13.4%；在PerformanceTest 11.1磁盤測試中，致態(tài)TiPlus7100s 2TB的得分達到56885分，可以擊敗全球98%的其他存儲設備，而三星990 EVO Plus 2TB的得分只有46913分，只能擊敗全球92%的其他存儲設備，前者成績領先后者多達21.3%。而致態(tài)TiPlus7100s 2TB之所以能在這些測試中一馬當先，還是得益于其在各個子項測試中有明顯優(yōu)勢。比如致態(tài)TiPlus7100s 2TB在PerformanceTest 11.1磁盤測試的順序讀寫測試成績分別為7477MB/s、6976MB/s，而三星990 EVO Plus 2TB的順序讀寫速度分別只有7289MB/s、5638MB/s。同時，致態(tài)TiPlus7100s的隨機32KQD20測試成績相對三星990 EVO Plus也有大幅領先。

▲三星990 EVO Plus 2TB的PerformanceTest 11.1磁盤測試成績細節(jié)，讀寫性能均未達到標稱規(guī)格。

▲致態(tài)TiPlus7100s 2TB的PerformanceTest 11.1磁盤測試成績細節(jié)，讀寫性能均達到標稱規(guī)格，相對三星產品優(yōu)勢明顯。

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