穩(wěn)態(tài)的判定方式為：檢查測試窗口中的4K隨機(jī)寫入、64K R65:W35混合隨機(jī)讀寫和1024K隨機(jī)讀三項(xiàng)成績，允許波動(dòng)范圍+/-10%，如連續(xù)5輪均符合要求，則判定SSD已經(jīng)進(jìn)入穩(wěn)態(tài)。

SSS PTS測試結(jié)果需摘取穩(wěn)態(tài)下所有56個(gè)測試項(xiàng)目的性能結(jié)果，并根據(jù)需要，用數(shù)據(jù)表格、2D或3D圖示三種形式進(jìn)行展現(xiàn)。為壓榨憶聯(lián)UH812a的性能，本次測試使用了16個(gè)任務(wù)數(shù)量，每個(gè)任務(wù)QD為256，測試結(jié)果見下面表格：

4K隨機(jī)讀取實(shí)測3568K IOPS，4K隨機(jī)寫入實(shí)測475K IOPS，均達(dá)到并超出標(biāo)稱值。

模擬實(shí)際應(yīng)用測試：全場景高效適配

VDBench測試：

VDBench是甲骨文推出的存儲(chǔ)性能評估工具，能夠支持去重和壓縮等特性。我們將使用它來測試4KB混合讀寫（讀70%寫30%），并模擬Oracle數(shù)據(jù)庫、VSI、VDI三種企業(yè)級應(yīng)用負(fù)載。

4KB混合隨機(jī)讀寫測試，憶聯(lián)UH812a 7.68TB獲得了1235K IOPS的好成績。如果將其OP至6.4TB容量，性能可以進(jìn)一步提升至1574K IOPS，能夠勝任更加繁重的工作負(fù)載。

Oracle、VDI、VSI三個(gè)模擬企業(yè)級應(yīng)用的測試模型相對復(fù)雜，對SSD性能要求也比較高。其中，Oracle測試數(shù)據(jù)模型中讀寫占比分別為83.14%和16.86%，在讀和寫操作中，不同BS塊大小又各自對應(yīng)不同的占比。測試時(shí)使用Dedupratio=3，Compratio=3參數(shù)，憶聯(lián)UH812a 7.68TB在Oracle測試環(huán)節(jié)表現(xiàn)出了316K的 IOPS，性能表現(xiàn)出眾。

Virtual Desktop Infrastructure測試數(shù)據(jù)模型中，讀寫混合比例為59.48:40.52。4K、16K、32K和64K讀取分別占比39.35%、16.47%、10.37%和12.86%，隨機(jī)存取占比80%。4K和8K寫入分別占比61.11%和13.05%，隨機(jī)存取占比80%。Dedupratio=7，Compratio=8。在這個(gè)環(huán)節(jié)中憶聯(lián)UH812a 7.68TB的峰值IOPS達(dá)到348K IOPS，表現(xiàn)令人滿意。

Virtual Storage Infrastructure測試數(shù)據(jù)模型中，讀寫混合比例為57.4：42.6。4K、8K、60K讀取占比分別為25.68%、26.31%和10.52%，隨機(jī)存取占比80%。4K和8K隨機(jī)寫入占比分別為59.62%和14.81%，隨機(jī)存取占比80%。這個(gè)測試中憶聯(lián)UH812a 7.68TB的峰值IOPS為298K IOPS，滿足多樣化工作負(fù)載和應(yīng)用對存儲(chǔ)性能的需求。

總結(jié)

本次的測試充分展現(xiàn)了憶聯(lián)UH812a在性能端的出眾表現(xiàn)：14931 MB/s的順序讀取速度、3569K IOPS的4K隨機(jī)讀取性能，475K IOPS的穩(wěn)定態(tài)4K隨機(jī)寫入性能。在QD隊(duì)列深度=1的情況下，UH812a的平均讀寫延遲僅有55/6μs。在復(fù)雜多變的混合讀寫工況下，UH812a同樣有著突出的成績。

作為英特爾至強(qiáng)平臺固態(tài)硬盤合作伙伴，憶聯(lián)深度參與了英特爾數(shù)據(jù)中心與人工智能事業(yè)部（DCAI）中國區(qū)關(guān)鍵組件驗(yàn)證計(jì)劃。截止目前，UH812a已全項(xiàng)通過了嚴(yán)苛的英特爾BKC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)與PCIe鏈路穩(wěn)定性測試，以及SPDK、VROC、OPEA三項(xiàng)權(quán)威認(rèn)證，展現(xiàn)出優(yōu)秀的兼容性和可靠性。

值得一提的是，UH812a還通過了中國散裂中子源(CSNS)的中子輻照測試。根據(jù)憶聯(lián)官網(wǎng)的介紹，中子廣泛存在于宇宙射線、高海拔地區(qū)以及核電站周邊環(huán)境中，中子在穿透SSD存儲(chǔ)單元時(shí)可能導(dǎo)致意外的比特翻轉(zhuǎn)，引發(fā)數(shù)據(jù)出錯(cuò)。通過中子輻照測試的UH812a，在耐用性和可靠性方面為用戶筑牢了安全與效率的雙保險(xiǎn)。

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