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徐翔到百億大佬,做空英偉達都靠同一套路瘋狂暴富,揭秘頂級空頭的賺錢框架

2026-06-28 23:57:50 | 來源:本站整理 | 作者:佚名
從徐翔到伯里、孫正義,做空英偉達的大佬共用一套框架:估值泡沫+基本面錯配+情緒杠桿,伯里押11億看跌期權,核心是AI開支暴漲但利潤未兌現(xiàn),算力價格已跌30%,孫正義兩度操作套現(xiàn)58億,精髓:在信仰最狂熱時,用期權把別人的焦慮變成自己的利潤,

徐翔到百億大佬,做空英偉達都靠同一套路瘋狂暴富,揭秘頂級空頭的賺錢框架

從"白毛股神"徐翔到《大空頭》原型伯里,再到軟銀孫正義,做空英偉達的聰明人共用一套框架:‌估值泡沫+基本面錯配+情緒杠桿‌。伯里押11億美元看跌期權,核心邏輯是AI資本開支77%暴漲但僅39%企業(yè)實現(xiàn)正向利潤,算力租賃價已跌30%,"稀缺性敘事"正在崩塌。孫正義兩度買賣英偉達,踏空1500億美元后清倉套現(xiàn)58億轉投OpenAI。這套框架的精髓不是"看空",而是‌在信仰最狂熱時,用期權把"別人的焦慮"變成自己的利潤‌——伯里甚至靠知識付費一天賺了1.4億,比做空本身還賺。

AI股神Leopold從2億到130億,白毛股神年化225倍,陳立武投出159家IPO,靠的都是同一個框架:找瓶頸。

Leopold用2.25億美元創(chuàng)立基金,12個月做到55億美元,現(xiàn)已擴大至130億美元,他押注的瓶頸是電力、算力、內存、光互聯(lián)這些AI物理基建。

他的投資組合里沒有一股英偉達,反而用84.6億美元的看跌期權做空整個芯片板塊。

做空英偉達,大佬們都在用同一套路暴富

在英偉達股價6美元時拒掉它offer的白毛股神,靠紫蘇葉理論選小盤股,自稱年化收益225倍,他押注的瓶頸是CPO光互聯(lián)、InP襯底、光收發(fā)器等AI光通信供應鏈上游。

英特爾CEO陳立武2026年6月18日在No Priors播客上的訪談也進一步強調了這個理論。陳立武在執(zhí)掌英特爾之前擔任Cadence CEO十二年,任期內股價漲了32倍。

同時他也是半導體領域最活躍的風險投資人之一,個人投了200多家半導體公司,其中159家IPO,他押注的瓶頸覆蓋EDA、GaN/SiC/InP等新材料以及光互聯(lián)。

一塊電路板,看懂AI硬件供應鏈

拿起任何一塊AI加速器的電路板。

在它被制造出來之前,設計師需要用EDA工具驗證數百億個晶體管的布局,用InP、GaN、SiC這些新材料替代正在觸及物理極限的硅,用氦氣保護光刻和蝕刻中每一步精密工序。

板子上,GPU芯片和HBM內存堆疊在一起,通過臺積電的CoWoS或英特爾的EMIB完成先進封裝。GPU決定算力上限,HBM決定算力能不能釋放,封裝決定它們能不能組裝到一起。

板子和板子之間,數千塊這樣的加速器要協(xié)同運算。銅纜正在接近物理帶寬極限,光互聯(lián)正在接棒。

板子周圍,48V電壓要降到GPU需要的不足1V,每一步轉換都在產生熱量;120kW一個機柜的功耗,傳統(tǒng)風冷已經吹不動了,液冷正在成為標配。

板子之外,這一切都需要電。一個AI數據中心的用電量相當于一座中等城市,而電網擴容和新建發(fā)電設施需要數年。

這就是九個瓶頸的全貌。下面逐一拆解。

板子之前

EDA:一次流片失敗,損失數千萬美元

所有芯片在制造之前,都必須經過EDA完成設計和驗證,驗證環(huán)節(jié)占整個芯片開發(fā)周期的60%-70%。

AI加速器集成數百億個晶體管,再疊上HBM、3D堆疊和先進封裝,設計復雜度持續(xù)放大,但EDA工具的計算效率沒有同步跟上。一旦驗證出問題需要重新流片,失敗成本可能超過數千萬美元。

2025年EDA市場規(guī)模約145億美元,2026年預計接近180億美元。Synopsys、Cadence、Siemens三家合計拿走65%以上份額。陳立武在Cadence做了十二年CEO,他比多數投資人都清楚這個環(huán)節(jié)的定價權,他形容EDA是一座金礦。Cadence已經能把設計收斂速度提升5倍,Siemens的AI系統(tǒng)在部分任務上實現(xiàn)10倍加速。

新材料:硅撐不住了,五種材料補位

傳統(tǒng)硅基材料在功耗、散熱、光通信等方向逐漸觸及性能天花板。五種新材料正在成為突破口:GaN(高頻功率器件)、SiC(高壓大電流)、InP(光通信)、人造鉆石(導熱)、玻璃基板(先進封裝)。

800G、1.6T光模塊依賴InP材料,當前AI光互聯(lián)需求缺口約40%-60%。玻璃基板被視為下一代先進封裝方向,英特爾和臺積電均在加速推進量產。Wolfspeed和Infineon僅2025-2027年就在SiC產能上投入超過150億美元。

氦氣:不可再生,斷供直接停產

2026年初,一件多數投資人完全沒注意到的事情發(fā)生了:卡塔爾Ras Laffan的供應擾動導致全球27%-30%的氦氣供應受影響,現(xiàn)貨價格短期上漲40%-100%。韓國半導體產業(yè)對卡塔爾氦氣依賴度約64.7%,三星和SK海力士的HBM產線因此面臨供應風險。

氦氣貫穿EUV光刻、刻蝕、沉積、晶圓冷卻等環(huán)節(jié),不可再生,沒有替代品。半導體行業(yè)占全球氦氣消費量約24%,預計2030年提升至30%。更麻煩的是,2nm制程相比3nm,單位氦氣消耗量還要增加約20%。制程越先進,越依賴一種正在變少的資源。

三星已推出氦氣循環(huán)利用系統(tǒng),臺積電先進產線回收率達到80%-90%。但回收只能緩解,不能解決根本問題:供應集中在少數氣源地,新氣源建設周期以年計。

板子上

HBM:供不應求,DRAM價格兩年漲了一倍

HBM為GPU提供高速數據傳輸能力,供應長期緊張,已成為限制AI服務器出貨的核心瓶頸。內存比什么都缺。

2026年全球HBM市場規(guī)模預計約92億美元,到2035年有望增長至近700億美元,年復合增速超過25%。SK海力士、三星和美光三家主導市場,SK海力士憑借領先產能成為英偉達核心供應商,三星和美光在加速擴產HBM3E和HBM4。

GPU決定算力上限,HBM決定這些算力能否被釋放。

先進封裝:GPU造出來了,封裝排不上隊

先進封裝將GPU和HBM整合成完整AI加速器,臺積電CoWoS是最主流方案。GPU和HBM即使已經生產出來,無法完成封裝就無法轉化為算力。

臺積電CEO公開表示CoWoS產能"極度緊張,2026年已經售罄"。產能已從2024年底約3.5萬-4萬片/月提升至2026年目標12萬-14萬片/月,但需求增長更快。2026年全球CoWoS需求預計接近100萬片晶圓,英偉達一家占約60%,并通過長期合同鎖定大量產能。

英特爾押注EMIB和玻璃基板方案試圖在封裝方向與臺積電競爭,ASE、Amkor等封裝廠也在同步擴產。

板子之間

互聯(lián)/光子:銅纜跑不動了,光互聯(lián)接棒

大模型訓練需要數千甚至上萬塊GPU協(xié)同運算。單塊GPU的算力再強,如果芯片間數據傳輸速度跟不上,整個集群的實際利用率就會被拖低。當前主流的銅纜互聯(lián)方案正在接近物理帶寬上限,高速互聯(lián)芯片和新型互聯(lián)架構成為資本密集投入的方向。

光子是互聯(lián)瓶頸的下一代解決方案。電信號在長距離和高密度傳輸場景下存在信號衰減和發(fā)熱問題,光信號在這兩方面具備物理優(yōu)勢。硅光子和CPO(共封裝光學)有望降低30%-50%的互聯(lián)功耗,但制造工藝、封裝集成和成本控制尚未成熟,產能與AI集群需求之間存在明顯缺口。2025年光學互聯(lián)市場約150億美元,到2034年可達430億美元。

黃仁勛幾乎投了所有做光互聯(lián)的公司。自2026年以來,NVIDIA累計超過65億美元投入光子方向:向Lumentum和Coherent各投入約20億美元,向Ayar Labs投入5億美元布局硅光子路線。

板子周圍

功耗轉換:48V降到1V,傳統(tǒng)硅器件扛不住

AI服務器需要將48V甚至更高電壓,經多級轉換降到GPU運行所需的不足1V。傳統(tǒng)硅基功率器件在高功率場景下效率不足,GaN和SiC正在成為下一代方案。

onsemi測算,下一代1MW AI機架中,功率半導體價值量從約5萬美元翻倍至10萬美元。2025-2026年GaN/SiC功率器件市場約20億美元,預計2030年超過80億美元,年復合增速超過20%。

Infineon收購GaN Systems補全產品線,Navitas推出面向AI數據中心的GaN電源方案,onsemi、Wolfspeed、STMicroelectronics也在加速擴充SiC產能。

液冷:一個機柜120kW,風冷吹不動了

以NVIDIA GB200 NVL72為代表的新一代AI服務器機柜,功耗達120kW以上。這些熱量如果只靠風扇吹,機房需要的空間和噪音都會失控。液冷正在成為下一代AI數據中心的標配方案。

2025年全球數據中心液冷市場約50億美元,到2035年有望增長至271億美元。液冷在新建AI數據中心中的采用比例預計從2025年的約35%提升至2026年底約55%。

NVIDIA在Blackwell和Rubin平臺中推動液冷架構,微軟、谷歌、亞馬遜、Meta在新建數據中心中加速采用。芯片級散熱方面,陳立武布局了人造鉆石方向,利用其高導熱能力解決高功率芯片的局部熱量集中問題。

板子之外

電力:電網跟不上,數據中心排隊等電

美國已有大量數據中心項目因電網接入不足面臨延期。

亞馬遜、微軟、谷歌、Meta 2026年合計資本開支預計達到7000億美元,相當大比例流向AI基礎設施和能源配套。傳統(tǒng)電網擴容速度跟不上需求,科技公司開始轉向長期購電協(xié)議、天然氣發(fā)電和核電等替代方案。

Leopold認為硅谷幕后正在上演一場爭奪本世紀剩余所有電力合同和每一臺變壓器的搶購戰(zhàn)。他的判斷是:AI時代真正的瓶頸不是算法,而是電。

Williams投入51億美元建設模塊化天然氣發(fā)電設施,GE Vernova燃氣輪機訂單積壓達100GW級別;NVIDIA通過NVentures投資TerraPower推動小型模塊化核反應堆,Stargate項目也在探索核電供能。

相比其他技術瓶頸,電力建設涉及電網、土地、審批,建設周期更長,也更難快速復制。

這套框架能用到什么時候

這套瓶頸投資框架能用多久?取決于供給什么時候追上需求。

從產能建設時間表看,2027年下半年是第一個供給釋放節(jié)點:SK海力士M15X工廠計劃2027年中投產,美光新加坡和臺灣工廠也瞄準2027年。白毛股神判斷光子超級周期也將在2027年中開始起量。2028年是第二波:三星Pyeongtaek P5工廠、SK海力士美國印第安納工廠、美光廣島工廠集中上線。陳立武的判斷是:"2028年之前不會有緩解。"

但新產能上線不等于瓶頸消失。每一代GPU對HBM的需求量都在翻倍,NVIDIA下一代Rubin架構對HBM4的需求將進一步放大;而且超大規(guī)模云廠商已經通過長期合同鎖定了大量新增產能,開放市場能拿到的份額有限。

2017-2018年,DRAM價格暴漲,三星大幅擴產,資本開支提高了50%以上。新產能在2019年集中釋放后,價格崩盤,全行業(yè)虧損。從產能投入到價格反轉,用了18個月。

這一輪的規(guī)模遠大于上一輪。DRAM價格從2025年到2027年預計上漲約275%-300%,是2017-2018年漲幅的三倍,而且發(fā)生在三倍的營收基數上。SK海力士、三星、美光三家內存廠商的市值都已突破1萬億美元,HBM利潤率高達60%-70%,遠超傳統(tǒng)DRAM。如果按同樣的18個月窗口推算,2028年底到2029年中就是需要高度警惕的時間段。

真正需要關注的是這個信號:如果屆時AI資本開支增速放緩,而三家廠商的新產能同時釋放,供需關系可能快速反轉,瓶頸變過剩,定價權從供應商回到買方。

Leopold的操作暗示他已經在為這個場景做準備。他在做多電力和基建的同時,用84.6億美元的看跌期權做空半導體板塊。他的判斷是,一旦AI基礎設施建設周期見頂,芯片公司之間的激烈競爭會壓縮利潤率,但電力和物理基建的稀缺性更持久、更難被復制。

在那之前,這條鏈上的供需失衡還看不到緩解。

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